N沟道场效应管

IRFSL3306

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6636

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7534

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 195A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1324S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 24V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 429A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI530N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Id: 11A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ44NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
  • Id: 47A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3738-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2807ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.4mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3707Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.5mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7932

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 104A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7546

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
  • Id: 53A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ24NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRF5801PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管