N沟道场效应管

IRF7831PBF-1

IRF7831PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP260M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 50A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP7718

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 355A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010EZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

2N4119A-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540ZL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.5mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ112

MMBFJ112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7934

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6717M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.25mΩ
  • Id: 220A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR4105Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 24.5mΩ
  • Id: 30A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

BF545C,215

BF545C,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:25 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 125A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ108

MMBFJ108

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5015

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 31.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2907ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 170A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-13 Tag标签:N沟道场效应管