N沟道场效应管

MMBF5486

MMBF5486

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ44ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 51A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-38143-BLKG

ATF-38143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-4 V
Maximum Drain Gate Voltage:-4 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7430-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 0.75mΩ
  • Id: 522A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU1018E

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4392LT1G

MMBF4392LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4332

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 33.0mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

2N4858

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1404ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 3.1mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7194

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.4mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR2405

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3704ZCS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
  • Id: 67A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管