N沟道场效应管

PMBF4392,215

PMBF4392,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:75 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

BF511,215

BF511,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

BF256B

BF256B

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB23N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 23A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5459

MMBF5459

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3103

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 19mΩ
  • Id: 29A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 125A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6810S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4110

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP7537

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 172A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFY044

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 16A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管