N沟道场效应管

IRFH5250

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.15mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRLI530N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Id: 11A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP260N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 49A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 83A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5457

MMBF5457

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7085

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
  • Id: 147A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3709Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6633

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.6mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4227

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFBA1404P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.7mΩ
  • Id: 206A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

2SK596S-A

2SK596S-A

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-20 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRL530N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Id: 17A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-Y(TE85R,F)

2SK208-Y(TE85R,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4568

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 171A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

BF510,215

BF510,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管