N沟道场效应管

CLF1G0060-30U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1405ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
  • Id: 340A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0060S-10U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7540

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.1mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7855

IRF7855

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH3702

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.1mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5007

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-34143-TR2G

ATF-34143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7807PBF-1

IRF7807PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56,215

BSR56,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4212

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 72.5mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7746

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.2mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7437

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
  • Id: 250A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRL540N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管