N沟道场效应管

MMBFJ108

MMBFJ108

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6721S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8721PBF-1

IRF8721PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR9N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 380.0mΩ
  • Id: 9.4A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3709ZC

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ48N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6712S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLMS1503

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7739L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM8342

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 28A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM8235

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.7mΩ
  • Id: 50A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR2905

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 27.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7534-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.95mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8314

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 171A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8334PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管