N沟道场效应管

CPH5902H-TL-E

电气特性 Features

  • 场效应晶体管
  • NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1405

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
  • Id: 133A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4393

MMBF4393

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI3205

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS31N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
  • Id: 31A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3710S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLP3034

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 327A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7537

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 173A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6612

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6636

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-R(TE85L,F)

2SK208-R(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:0.75 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

BF862,215

BF862,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:40 mA
Maximum Gate Source Voltage:-20 V
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS59N10D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR2905

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 27.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管