N沟道场效应管

IRLR8256

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.7mΩ
  • Id: 81A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ201

MMBFJ201

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3315S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3107

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 230A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 62A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHS8342

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 19A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 130A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-38143-TR2G

ATF-38143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-4 V
Maximum Drain Gate Voltage:-4 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
  • Id: 31A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1404Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.7mΩ
  • Id: 190A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

PMBF4393,215

PMBF4393,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4615

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管