P沟道场效应管

J176

J176

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6215S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -13A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR6215

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 580.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: 13A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ270_R1_00001

MMBFJ270_R1_00001

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

PMBFJ174,215

PMBFJ174,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:135 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z24N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ270

MMBFJ270

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRFHS9301

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 37.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.9nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Id@TC 25C: -13A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR9024N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: 11A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7404

IRF7404

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 33.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML2246TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRFY9120

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • Id@TC 25C: -5.3A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6217PBF-1

IRF6217PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管

IRFHM9391

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
  • Qg(Typ): 32.0nC
  • Rth(JC): 3.8K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -38A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-12 Tag标签:P沟道场效应管