P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
• Qg(Typ): 3.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 62.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ
• Qg(Typ): 23.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 42.0nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 89W
• Id@TC 25C: -28A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
• Qg(Typ): 5.8nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 98.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
• Qg(Typ): 9.5nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 7.2m?
• RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
• Qg(Typ): 34.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
• Qg(Typ): 64.7nC
• Rth(JC): 1.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 120W
• Id@TC 25C: -21A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
• Qg(Typ): 7.2nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
• Qg(Typ): 21.3nC
• Rth(JC): 2.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 57W
• Id@TC 25C: -18A

电气特性 Features

电气特性 Features